般工该成果近日以题为Visiblequantumdotlight-emittingdiodeswithsimultaneoushighbrightnessandefficiency发表在知名期刊NaturePhotonics上。商业然而到目前为止几乎所有的QLED设备开发要么在高EQE但低亮度或相反。量子点发光二极管(QLEDs)由于其改善了色彩饱和度、平均亮度、平均光谱可调性和较低的制造成本,在显示屏和照明这两个具有深远技术意义的主要应用领域得到了广泛的探索。
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(c)EQE作为三原色亮度的函数,国家国峰值EQE由虚线突出显示。
对于红色QLEDs,发改6分虽然EQE由于创新的设备设计而增加到18-20.5%,但峰值EQE的亮度仍然在100-2000cd/m2范围内,远远低于照明阈值。然而,委全瓦随着越来越多的二维材料被成功制备和研究,寻找一种较为普适的制备方法就成为一项亟待解决的问题。
般工2010年发表在《PHYSICALREVIEWLETTERS》上的一篇文章[9]系统的研究了超薄二硫化钼的电子结构和光学性能与材料层数之间的关系。随后,商业以石墨烯为代表的一系列新型薄层材料开始涌现,商业人们也开始将这类具有片状结构,横向尺寸超过100nm而厚度在一个或者几个原子的材料统称为二维材料或者超薄二维材料[1]。
在这样的背景下,平均都柏林三一学院和牛津大学的J.N.Coleman等学者们[11]在前人研究的基础上,平均阐释了利用液相剥离技术制备超薄层纳米片对多种层状材料具有通用性。因此,再降如何将石墨烯与衬底解耦合以使石墨烯不受周边环境影响是石墨烯器件设计之初就面临的难题。